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厂商型号

FDMC8200S_F065 

产品描述

MOSFET DUAL N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET

内部编号

3-FDMC8200S-F065

#1

数量:3000
最小起订量:1
美国加州
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FDMC8200S_F065产品详细规格

规格书 FDMC8200S_F065 datasheet 规格书
安装风格 SMD/SMT
配置 Dual Asymmetric Triple Drain Triple Source
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 18 A, 13 A
正向跨导 - 闵 29 S, 43 S
RDS(ON) 10 mOhms, 20 mOhms
封装 Reel
功率耗散 1.9 W, 2.5 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 Power 33-8
典型关闭延迟时间 35 ns, 56 ns
上升时间 3.1 ns, 1.8 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 30 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 1.3 ns, 8.5 ns
工厂包装数量 3000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
品牌 Fairchild Semiconductor
通道数 2 Channel
晶体管类型 2 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 18 A
长度 3.3 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 20 mOhms
身高 0.8 mm
典型导通延迟时间 11 ns, 20 ns
Pd - Power Dissipation 1.9 W, 2.5 W
技术 Si

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